01｜核心观察
- HBM长协仍以价格博弈和配额管理为核心，三星与SK海力士希望借HBM4提升毛利率，但客户担心涨价过快影响供应链稳定。
- 2026年下半年DRAM与NAND价格继续上行，DRAM更偏结构性涨价，NAND涨幅更大且现货可能高于官方指导价。
- 国产存储扩产正在影响海外原厂在企业级市场的定价，但高端Tier 1客户仍依赖三星、SK海力士与美光。
- 不同客户应对策略分化：Tier 1接受官方价，白牌服务器与中小模组厂承受更高溢价，手机与汽车客户通过降配和减产缓冲。
- 代理商、渠道商和大型模组厂通过锁货、囤货和长期协议获得库存收益，供应链金融属性明显增强。
02｜HBM长协正在从简单采购转向配额与穿透式管理
三星与SK海力士的HBM3E长协价格大致反映2026年第二季度水平，其中三星36GB约550美元，SK海力士36GB约530美元。
原厂希望通过HBM4约900美元的价格提高毛利率至58%—60%，但客户担心涨价过快破坏供应链稳定，因此更倾向通过折扣换取长期供货保障。
供应模式已经从简单采购，演变为涨价预期、配额制、竞价、穿透式管理、NCNR协议和长约并存。
03｜中国DDR5已有进展，但功耗和系统适配仍是短板
长鑫存储中国DDR5整体性能尚未达到美光第三代DDR5水平，只在部分指标上接近。
当前核心差距主要集中在功耗和自适应系统能力。中国存储产业发展空间较大，但扩展速度仍需时间。
国内低端与中端产品的供给改善，已经开始改变海外原厂在企业级市场的降规策略。
04｜国产扩产正在冲击海外原厂的企业级定价
中国厂商降规颗粒已经直接进入海外原厂企业级降规市场，客户在有货与无货之间更容易接受较低性能产品。
但Tier 1和Tier 2头部客户仍依赖海外原厂，中小客户可能受国产产品更大影响。
三星、苹果等客户可能把长鑫、长江存储纳入供应链，这会引发美光等海外厂商的竞争反应。
05｜2026年下半年DRAM是结构性涨价，而不是全面普涨
2026年Q3，常规容量如64GB、128GB相对持平，但服务器高容量规格如32GB 6400、96GB RDIMM涨价且具有更高议价能力，整体涨幅预计13%—18%。
Q4官方价格预计下调5%—10%，原因是价格高位、客户抵制情绪增强，以及二手DDR4等非官方渠道满足部分需求。
2027年价格预计不会明显下跌，但具体涨幅仍难预测，更可能进入高位整理。
06｜NAND涨幅高于DRAM，渠道惜售强化价格弹性
2026年Q3 NAND涨幅预计约30%，已经超过DRAM，且市场实际成交价可能高于官方指导价。
Q4涨幅预计与Q3持平，若低价货源持续惜售，涨幅甚至可能达到50%。
2027年Q1供应预计仍难达到平衡，价格不容易下跌，渠道库存和惜售行为会进一步放大波动。
07｜不同客户对涨价的承受能力明显分化
Tier 1客户如超威、惠普更倾向以官方价格采购，再通过销售市场赚取官方价与市场溢价之间的差额。
白牌服务器制造商和算力硬件采购商更容易被迫接受溢价产品，驱动因素包括高端算力硬件适配和分散的小批量采购。
大型模组厂如金士顿通过早期低价库存获取成本优势，中小模组厂则承受更大的成本压力。
08｜代理商与渠道商的库存策略正在强化周期波动
大型模组厂曾在2025年3月至9月持续大量囤货，导致部分1TB SSD月出货量达到300—500K，明显高于正常水平。
代理商通过控制出货量，即使销售持平，也能依靠价格上涨实现利润翻倍。
长存代理商已经开始洽谈数十亿元长期签约，台湾大厂也在囤积NAND Flash库存，并预期涨价后缓慢销售。
09｜风险与跟踪重点
第一，HBM、DRAM和NAND价格数据来自产业链交流纪要，并非正式报价单。
第二，渠道囤货会造成需求透支，库存收益也可能在价格回落时迅速反转。
第三，国产扩产会继续影响中低端市场，但高端产品认证和长期稳定性仍是主要门槛。
后续重点跟踪HBM4价格、长鑫DDR5和HBM进展、长江存储渠道库存、NAND现货溢价，以及服务器客户的真实订单满足率。